碳化硅陶瓷的優良特性與制備方法
碳化硅陶瓷是以碳化硅原料為主的經過各種工藝制成的一種特種陶瓷，下面首先了解下碳化硅陶瓷的優良特性： 碳化硅陶瓷主要有抗氧化性、導電性、硬度高、較高的導熱率等。

ü  抗氧化性 碳化硅陶瓷在800-1140度時抗氧化性較差，在1140-1600度時抗氧化性非常    好，高于1750度時，氧化膜被破壞，抗氧化性急劇下降。

ü  導電性 純碳化硅是電絕緣體，但是碳化硅陶瓷里面含有各種雜質，因此具備了一些導電性能。

ü  硬度高 碳化硅陶瓷的硬度性能，是由碳化硅本身決定的，隨著溫度的升高，碳化硅陶瓷的硬度并不下降。

ü   導熱率  在室溫情況下，碳化硅陶瓷的導熱率是相當高的。 

在了解了他的優良特性后，我們會想，碳化硅陶瓷究竟是如何制備而成的呢，由于碳化硅陶瓷的各種優良性能，因此人們非常認可碳化硅陶瓷，所以對碳化硅陶瓷的開發和研制也是非常多的，下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法：
  （1）熱壓碳化硅陶瓷  雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相促進燒結；一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
  （2）常壓碳化硅陶瓷 常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
  （3）反應碳化硅陶瓷  反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右，通過氣相與C反應生成。